John Bardeen (1908–1991), transistörün geliştirilmesi ve süperiletkenliğin açıklanması üzerine çalışmalarıyla tanınan Amerikalı fizikçidir. Madison'da doğdu. Wisconsin Üniversitesinde elektrik mühendisliği alanında 1928'de lisans, 1929'da yüksek lisans derecesi aldı. Princeton Üniversitesinde Eugene Wigner yönetimindeki doktorasını 1936'da tamamladı.[1]
TRANSİSTÖR ÇALIŞMALARI
Jeofizik alanındaki çalışmalarının ve çeşitli akademik görevlerinin ardından 1945'te Bell Laboratuvarlarına katıldı. Walter Brattain ile yürüttüğü araştırmalar, 1947'nin sonlarında transistör etkisinin gösterilmesiyle sonuçlandı. Yarıiletkenlerin elektriksel davranışını denetlemeye yönelik bu çalışmalar, elektronik aygıtların geliştirilmesi açısından önemliydi.[1]
Bardeen, Brattain ve William Shockley, yarıiletken araştırmaları ve transistör etkisinin keşfi nedeniyle 1956 Nobel Fizik Ödülü'nü paylaştı. Transistör, elektrik sinyallerini güçlendirme ve anahtarlama işlevleriyle elektronik devrelerin temel bileşenlerinden biri hâline geldi. Bardeen'in bu katkısı, malzemelerin mikroskobik özelliklerinin mühendislik uygulamalarıyla ilişkilendirilmesine dayanıyordu.[1][2]
SÜPERİLETKENLİK KURAMI
1951'de Illinois Üniversitesine geçerek elektrik mühendisliği ve fizik alanlarında çalışmaya başladı. Leon Cooper ve John Robert Schrieffer ile süperiletkenliğin mikroskobik açıklamasını geliştirdi. Araştırmacıların soyadlarından BCS adını alan kuram, belirli malzemelerin düşük sıcaklıklarda elektrik direncini kaybetmesini açıklamayı amaçlıyordu.[2]
Bu çalışma Bardeen'e, Cooper ve Schrieffer ile paylaştığı 1972 Nobel Fizik Ödülü'nü getirdi. Böylece fizik dalında iki Nobel Ödülü alan ilk kişi oldu. Bardeen'in meslek yaşamı, bir yanda yarıiletken aygıtların geliştirilmesini, diğer yanda kuantum fiziğinin katı maddelerdeki ortak davranışları açıklamasını bir araya getirir. Illinois'deki araştırma ve öğretim çalışmaları, bu iki alanın birlikte geliştiği akademik ortamın bir parçasıydı.[1][2]