Walter Houser Brattain (1902–1987), nokta temaslı transistörün geliştirilmesine katkıda bulunan Amerikalı fizikçidir. 10 Şubat 1902'de Çin'in Amoy kentinde doğdu; çocukluğunu Washington eyaletinde geçirdi. Whitman College'da fizik ve matematik öğrenimini 1924'te tamamladı. Oregon Üniversitesinden 1926'da yüksek lisans, Minnesota Üniversitesinden 1929'da doktora derecesi aldı.[1]
YARIİLETKEN ARAŞTIRMALARI
Brattain, 1929'da Bell Laboratuvarlarına katıldı. Araştırmaları katı maddelerin yüzey özelliklerine odaklandı. Tungsten yüzeylerindeki elektron yayımı ve yüzeye tutunan katmanlar üzerinde çalıştı; daha sonra bakır oksit, silisyum ve germanyum gibi yarıiletkenlerde doğrultma ve ışığın elektriksel etkilerini inceledi.[1]
İkinci Dünya Savaşı sırasında denizaltıların manyetik yöntemlerle belirlenmesine yönelik araştırmalara katıldı. Savaş sonrasında Bell'deki yarıiletken grubunda John Bardeen ile çalıştı. Bardeen'in kuramsal yaklaşımı ile Brattain'in deney düzenekleri kurma becerisi, araştırmada birbirini tamamladı.[1][2]
TRANSİSTÖR VE SONRAKİ YAŞAMI
Aralık 1947'de Bardeen ve Brattain nokta temaslı transistörü geliştirdi. Elektrik sinyallerini güçlendirebilen bu katı hâl aygıtı, vakum tüplerine göre daha küçük ve dayanıklı elektronik düzeneklerin geliştirilmesine katkı sağladı. Grubun yöneticisi William Shockley daha sonra farklı yapıda bir transistör tasarımı geliştirdi.[2]
Brattain, Bardeen ve Shockley, yarıiletkenler ve transistör etkisi üzerine çalışmaları nedeniyle 1956 Nobel Fizik Ödülü'nü paylaştı. Brattain ilerleyen yıllarda mezun olduğu Whitman College'da ders verdi ve danışmanlık yaptı. 13 Ekim 1987'de Seattle'da öldü. Bilimsel ve kişisel belgeleri Whitman arşivinde korunur; bu koleksiyon, transistör araştırmalarının yanı sıra akademik ilişkilerini ve aile yaşamını da belgelemektedir.[1][2]